Transistor bipolaire BD808

Caractéristiques électriques du transistor BD808

  • Type de transistor: PNP
  • Tension collecteur-émetteur maximum: -60 V
  • Tension collecteur-base maximum: -70 V
  • Tension émetteur-base maximum: -5 V
  • Courant collecteur continu maximum: -10 A
  • Dissipation de puissance maximum: 90 W
  • Gain de courant (hfe): 30
  • Fréquence de transition minimum: 2 MHz
  • Température de stockage et de fonctionnement: -55 to +150 °C
  • Boîtier: TO-220

Brochage du BD808

Voici une image montrant le schéma des broches de ce transistor.

Complémentaire du transistor BD808

Le transistor NPN complémentaire du BD808 est le BD807.

Substituts et équivalents pour le transistor BD808

Vous pouvez remplacer le transistor BD808 par 2N6667, 2N6667G, 2N6668, 2N6668G, 2SA1077, 2SA1291, 2SA1291-Q, 2SA1291-R, 2SA1291-S, 2SA1329, 2SA1329-O, 2SA1329-Y, 2SA1452, 2SA1452-O, 2SA1452-Y, 2SA1452A, 2SA1452A-O, 2SA1452A-Y, 2SA1471, 2SA1471-Q, 2SA1471-R, 2SA1471-S, 2SA1743, 2SA1743-K, 2SA1743-L, 2SA1743-M, 2SA1744, 2SA1744-K, 2SA1744-L, 2SA1744-M, 2SB1225, 2SB882, BD546A, BD546B, BD546C, BD810, BDT62, BDT62A, BDT62B, BDT62C, BDT64, BDT64A, BDT64B, BDT64C, BDT82, BDT82F, BDT84, BDT84F, BDT86, BDT86F, BDT88, BDT88F, BDW45, BDW46, BDW46G, BDW47, BDW47G, BDW48, BDW94A, BDW94B, BDW94C, BDW94CF, BDX34A, BDX34B, BDX34BG, BDX34C, BDX34CG, BDX34D, D45H11, D45H11FP, D45H8, MJF6668, MJF6668G, TIP145T, TIP146T, TIP147T, TTA1452B ou TTB1452B.
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