Transistor bipolaire BD808
Caractéristiques électriques du transistor BD808
- Type de transistor: PNP
- Tension collecteur-émetteur maximum: -60 V
- Tension collecteur-base maximum: -70 V
- Tension émetteur-base maximum: -5 V
- Courant collecteur continu maximum: -10 A
- Dissipation de puissance maximum: 90 W
- Gain de courant (hfe): 30
- Fréquence de transition minimum: 2 MHz
- Température de stockage et de fonctionnement: -55 to +150 °C
- Boîtier: TO-220
Brochage du BD808
Voici une image montrant le schéma des broches de ce transistor.
Complémentaire du transistor BD808
Le transistor
NPN complémentaire du BD808 est le
BD807.
Substituts et équivalents pour le transistor BD808
Vous pouvez remplacer le transistor BD808 par
2N6667,
2N6667G,
2N6668,
2N6668G,
2SA1077,
2SA1291,
2SA1291-Q,
2SA1291-R,
2SA1291-S,
2SA1329,
2SA1329-O,
2SA1329-Y,
2SA1452,
2SA1452-O,
2SA1452-Y,
2SA1452A,
2SA1452A-O,
2SA1452A-Y,
2SA1471,
2SA1471-Q,
2SA1471-R,
2SA1471-S,
2SA1743,
2SA1743-K,
2SA1743-L,
2SA1743-M,
2SA1744,
2SA1744-K,
2SA1744-L,
2SA1744-M,
2SB1225,
2SB882,
BD546A,
BD546B,
BD546C,
BD810,
BDT62,
BDT62A,
BDT62B,
BDT62C,
BDT64,
BDT64A,
BDT64B,
BDT64C,
BDT82,
BDT82F,
BDT84,
BDT84F,
BDT86,
BDT86F,
BDT88,
BDT88F,
BDW45,
BDW46,
BDW46G,
BDW47,
BDW47G,
BDW48,
BDW94A,
BDW94B,
BDW94C,
BDW94CF,
BDX34A,
BDX34B,
BDX34BG,
BDX34C,
BDX34CG,
BDX34D,
D45H11,
D45H11FP,
D45H8,
MJF6668,
MJF6668G,
TIP145T,
TIP146T,
TIP147T,
TTA1452B ou
TTB1452B.
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