Transistor bipolaire 2SD633
Caractéristiques électriques du transistor 2SD633
- Type de transistor: NPN
- Tension collecteur-émetteur maximum: 100 V
- Tension collecteur-base maximum: 100 V
- Tension émetteur-base maximum: 5 V
- Courant collecteur continu maximum: 7 A
- Dissipation de puissance maximum: 40 W
- Gain de courant (hfe): 2000 à 15000
- Température de stockage et de fonctionnement: -55 to +150 °C
- Boîtier: TO-220
Brochage du 2SD633
Voici une image montrant le schéma des broches de ce transistor.
Marquage
Parfois, le préfixe "2S" n'est pas marqué sur l'emballage - le transistor 2SD633 peut n'être marqué que
D633.
Complémentaire du transistor 2SD633
Le transistor
PNP complémentaire du 2SD633 est le
2SB673.
Substituts et équivalents pour le transistor 2SD633
Vous pouvez remplacer le transistor 2SD633 par
2N6045,
2N6045G,
2SD1196,
2SD1415,
2SD1415A,
2SD1830,
BD543C,
BD545C,
BD649,
BD651,
BD801,
BD901,
BDT63B,
BDT63C,
BDT65B,
BDT65C,
BDT85,
BDT85F,
BDT87,
BDT87F,
BDW42,
BDW42G,
BDW43,
BDW73C,
BDW73D,
BDX33C,
BDX33CG,
BDX33D,
BDX53C,
BDX53CG,
BDX53D,
BDX53E,
BDX53F,
MJE15028,
MJE15028G,
MJE15030,
MJE15030G,
MJF15030,
MJF15030G,
TIP102,
TIP102G,
TIP132,
TIP132G,
TIP142T ou
TTD1415B.
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