Transistor bipolaire 2SD1414

Caractéristiques électriques du transistor 2SD1414

  • Type de transistor: NPN
  • Tension collecteur-émetteur maximum: 80 V
  • Tension collecteur-base maximum: 100 V
  • Tension émetteur-base maximum: 5 V
  • Courant collecteur continu maximum: 4 A
  • Dissipation de puissance maximum: 20 W
  • Gain de courant (hfe): 2000
  • Température de stockage et de fonctionnement: -55 to +150 °C
  • Boîtier: TO-220F

Brochage du 2SD1414

Voici une image montrant le schéma des broches de ce transistor.

Marquage

Parfois, le préfixe "2S" n'est pas marqué sur l'emballage - le transistor 2SD1414 peut n'être marqué que D1414.

Complémentaire du transistor 2SD1414

Le transistor PNP complémentaire du 2SD1414 est le 2SB1024.

Substituts et équivalents pour le transistor 2SD1414

Vous pouvez remplacer le transistor 2SD1414 par 2SD1276A, 2SD1276A-P, 2SD1276A-Q, 2SD1277A, 2SD1277A-P, 2SD1277A-Q, 2SD1415, 2SD1415A, 2SD1891, 2SD1891-P, 2SD1891-Q, 2SD1892, 2SD1892-P, 2SD1892-Q, 2SD2495, 2SD2495-O, 2SD2495-P, 2SD2495-Y, 2SD560, 2SD560-KB, 2SD560-LB, 2SD560-MB, 2SD633, 2SD634, 2SD837A-P, 2SD837A-Q, KSB601, KSB601-O, KSB601-R, KSB601-Y, KSD560, KSD560-O, KSD560-R, KSD560-Y, MJF122, MJF122G, MJF6388, MJF6388G ou TTD1415B.
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