Transistor bipolaire 2SD1414
Caractéristiques électriques du transistor 2SD1414
- Type de transistor: NPN
- Tension collecteur-émetteur maximum: 80 V
- Tension collecteur-base maximum: 100 V
- Tension émetteur-base maximum: 5 V
- Courant collecteur continu maximum: 4 A
- Dissipation de puissance maximum: 20 W
- Gain de courant (hfe): 2000
- Température de stockage et de fonctionnement: -55 to +150 °C
- Boîtier: TO-220F
Brochage du 2SD1414
Voici une image montrant le schéma des broches de ce transistor.
Marquage
Parfois, le préfixe "2S" n'est pas marqué sur l'emballage - le transistor 2SD1414 peut n'être marqué que
D1414.
Complémentaire du transistor 2SD1414
Le transistor
PNP complémentaire du 2SD1414 est le
2SB1024.
Substituts et équivalents pour le transistor 2SD1414
Vous pouvez remplacer le transistor 2SD1414 par
2SD1276A,
2SD1276A-P,
2SD1276A-Q,
2SD1277A,
2SD1277A-P,
2SD1277A-Q,
2SD1415,
2SD1415A,
2SD1891,
2SD1891-P,
2SD1891-Q,
2SD1892,
2SD1892-P,
2SD1892-Q,
2SD2495,
2SD2495-O,
2SD2495-P,
2SD2495-Y,
2SD560,
2SD560-KB,
2SD560-LB,
2SD560-MB,
2SD633,
2SD634,
2SD837A-P,
2SD837A-Q,
KSB601,
KSB601-O,
KSB601-R,
KSB601-Y,
KSD560,
KSD560-O,
KSD560-R,
KSD560-Y,
MJF122,
MJF122G,
MJF6388,
MJF6388G ou
TTD1415B.
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