Transistor bipolaire 2SB1020
Caractéristiques électriques du transistor 2SB1020
- Type de transistor: PNP
- Tension collecteur-émetteur maximum: -100 V
- Tension collecteur-base maximum: -100 V
- Tension émetteur-base maximum: -5 V
- Courant collecteur continu maximum: -7 A
- Dissipation de puissance maximum: 30 W
- Gain de courant (hfe): 2000 à 15000
- Température de stockage et de fonctionnement: -55 to +150 °C
- Boîtier: TO-220F
Brochage du 2SB1020
Voici une image montrant le schéma des broches de ce transistor.
Marquage
Parfois, le préfixe "2S" n'est pas marqué sur l'emballage - le transistor 2SB1020 peut n'être marqué que
B1020.
Complémentaire du transistor 2SB1020
Le transistor
NPN complémentaire du 2SB1020 est le
2SD1415.
Substituts et équivalents pour le transistor 2SB1020
Vous pouvez remplacer le transistor 2SB1020 par
2N6042,
2N6042G,
2SB1020A,
2SB1228,
2SB673,
2SB886,
BD544C,
BD546C,
BD650,
BD652,
BD802,
BD902,
BDT62B,
BDT62C,
BDT64B,
BDT64C,
BDT86,
BDT86F,
BDT88,
BDT88F,
BDW47,
BDW47G,
BDW48,
BDW74C,
BDW74D,
BDX34C,
BDX34CG,
BDX34D,
BDX54C,
BDX54CG,
BDX54D,
BDX54E,
BDX54F,
MJE15029,
MJE15029G,
MJE15031,
MJE15031G,
MJF15031,
MJF15031G,
TIP107,
TIP107G,
TIP137,
TIP137G,
TIP147T ou
TTB1020B.
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