Transistor bipolaire 2SB1020

Caractéristiques électriques du transistor 2SB1020

  • Type de transistor: PNP
  • Tension collecteur-émetteur maximum: -100 V
  • Tension collecteur-base maximum: -100 V
  • Tension émetteur-base maximum: -5 V
  • Courant collecteur continu maximum: -7 A
  • Dissipation de puissance maximum: 30 W
  • Gain de courant (hfe): 2000 à 15000
  • Température de stockage et de fonctionnement: -55 to +150 °C
  • Boîtier: TO-220F

Brochage du 2SB1020

Voici une image montrant le schéma des broches de ce transistor.

Marquage

Parfois, le préfixe "2S" n'est pas marqué sur l'emballage - le transistor 2SB1020 peut n'être marqué que B1020.

Complémentaire du transistor 2SB1020

Le transistor NPN complémentaire du 2SB1020 est le 2SD1415.

Substituts et équivalents pour le transistor 2SB1020

Vous pouvez remplacer le transistor 2SB1020 par 2N6042, 2N6042G, 2SB1020A, 2SB1228, 2SB673, 2SB886, BD544C, BD546C, BD650, BD652, BD802, BD902, BDT62B, BDT62C, BDT64B, BDT64C, BDT86, BDT86F, BDT88, BDT88F, BDW47, BDW47G, BDW48, BDW74C, BDW74D, BDX34C, BDX34CG, BDX34D, BDX54C, BDX54CG, BDX54D, BDX54E, BDX54F, MJE15029, MJE15029G, MJE15031, MJE15031G, MJF15031, MJF15031G, TIP107, TIP107G, TIP137, TIP137G, TIP147T ou TTB1020B.
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