Transistor bipolaire 2N6667G

• Type de transistor: PNP
• Tension collecteur-émetteur maximum: -60 V
• Tension collecteur-base maximum: -60 V
• Tension émetteur-base maximum: -5 V
• Courant collecteur continu maximum: -10 A
• Dissipation de puissance maximum: 65 W
• Gain de courant (h_fe): 1000 à 20000
• Température de stockage et de fonctionnement: -65 to +150 °C
• Boîtier: TO-220
• Le 2N6667G est la version sans plomb du transistor 2N6667

Voici une image montrant le schéma des broches de ce transistor.Le transistor NPN complémentaire du 2N6667G est le 2N6387G.Vous pouvez remplacer le transistor 2N6667G par 2N6667, 2N6668, 2N6668G, BD546A, BD546B, BD546C, BD808, BD810, BDT62, BDT62A, BDT62B, BDT62C, BDT64, BDT64A, BDT64B, BDT64C, BDT82, BDT82F, BDT84, BDT84F, BDT86, BDT86F, BDT88, BDT88F, BDW45, BDW46, BDW46G, BDW47, BDW47G, BDW48, BDX34A, BDX34B, BDX34BG, BDX34C, BDX34CG, BDX34D, D45H11, D45H11FP, D45H8, TIP145T, TIP146T ou TIP147T.