Transistor bipolaire 2N6533

• Type de transistor: NPN
• Tension collecteur-émetteur maximum: 120 V
• Tension collecteur-base maximum: 120 V
• Tension émetteur-base maximum: 5 V
• Courant collecteur continu maximum: 8 A
• Dissipation de puissance maximum: 65 W
• Gain de courant (h_fe): 500 à 10000
• Température de stockage et de fonctionnement: -65 to +150 °C
• Boîtier: TO-220

Voici une image montrant le schéma des broches de ce transistor.Vous pouvez remplacer le transistor 2N6533 par BDT87, BDT87F, BDX53D, BDX53E, BDX53F, MJE15028, MJE15028G, MJE15030, MJE15030G, MJF15030 ou MJF15030G.