Transistor bipolaire 2N6530
Caractéristiques électriques du transistor 2N6530
- Type de transistor: NPN
- Tension collecteur-émetteur maximum: 80 V
- Tension collecteur-base maximum: 80 V
- Tension émetteur-base maximum: 5 V
- Courant collecteur continu maximum: 8 A
- Dissipation de puissance maximum: 65 W
- Gain de courant (hfe): 1000 à 10000
- Température de stockage et de fonctionnement: -65 to +150 °C
- Boîtier: TO-220
Brochage du 2N6530
Voici une image montrant le schéma des broches de ce transistor.
Substituts et équivalents pour le transistor 2N6530
Vous pouvez remplacer le transistor 2N6530 par
2N6044,
2N6044G,
2N6045,
2N6045G,
2N6388,
2N6388G,
2N6531,
2N6532,
2N6533,
BD537,
BD543B,
BD543C,
BD545B,
BD545C,
BD647,
BD649,
BD651,
BD799,
BD801,
BD809,
BD899,
BD899A,
BD901,
BDT63A,
BDT63B,
BDT63C,
BDT65A,
BDT65B,
BDT65C,
BDT83,
BDT83F,
BDT85,
BDT85F,
BDT87,
BDT87F,
BDW41,
BDW41G,
BDW42,
BDW42G,
BDW43,
BDW73B,
BDW73C,
BDW73D,
BDX33B,
BDX33BG,
BDX33C,
BDX33CG,
BDX33D,
BDX53B,
BDX53BG,
BDX53C,
BDX53CG,
BDX53D,
BDX53E,
BDX53F,
BDX77,
D44H11,
D44H11FP,
MJE15028,
MJE15028G,
MJE15030,
MJE15030G,
MJF15030,
MJF15030G,
TIP101,
TIP101G,
TIP102,
TIP102G,
TIP131,
TIP131G,
TIP132,
TIP132G,
TIP141T ou
TIP142T.
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