Transistor bipolaire 2N6387G

Caractéristiques électriques du transistor 2N6387G

  • Type de transistor: NPN
  • Tension collecteur-émetteur maximum: 60 V
  • Tension collecteur-base maximum: 60 V
  • Tension émetteur-base maximum: 5 V
  • Courant collecteur continu maximum: 10 A
  • Dissipation de puissance maximum: 65 W
  • Gain de courant (hfe): 1000 à 20000
  • Température de stockage et de fonctionnement: -65 to +150 °C
  • Boîtier: TO-220
  • Le 2N6387G est la version sans plomb du transistor 2N6387

Brochage du 2N6387G

Voici une image montrant le schéma des broches de ce transistor.

Equivalent circuit

2N6387G equivalent circuit

Complémentaire du transistor 2N6387G

Le transistor PNP complémentaire du 2N6387G est le 2N6667G.

Substituts et équivalents pour le transistor 2N6387G

Vous pouvez remplacer le transistor 2N6387G par 2N6387, 2N6388, 2N6388G, BD545A, BD545B, BD545C, BD807, BD809, BDT63, BDT63A, BDT63B, BDT63C, BDT65, BDT65A, BDT65B, BDT65C, BDT81, BDT81F, BDT83, BDT83F, BDT85, BDT85F, BDT87, BDT87F, BDW40, BDW41, BDW41G, BDW42, BDW42G, BDW43, BDX33A, BDX33B, BDX33BG, BDX33C, BDX33CG, BDX33D, D44H11, D44H11FP, D44H8, TIP140T, TIP141T ou TIP142T.
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