Transistor bipolar MJE802T
Características del transistor MJE802T
- Tipo: NPN
- Tensión Máxima Colector-Emisor: 80 V
- Tensión Máxima Colector-Base: 80 V
- Tensión Máxima Emisor-Base: 5 V
- Corriente DC Máxima del Colector: 4 A
- Disipación de Potencia Máxima: 50 W
- Ganancia de corriente continua (hfe): 750
- Temperatura de almacenamiento y funcionamiento: -55 to +150 °C
- Encapsulado: TO-220
Diagrama de pines del MJE802T
Aquí hay una imagen que muestra el diagrama de pines de este transistor.
Transistor PNP complementario
El transistor
PNP complementario del MJE802T es el
MJE702T.
Sustitución y equivalentes para el transistor MJE802T
Puede sustituir el MJE802T por el
2N6044,
2N6044G,
2N6045,
2N6045G,
2N6388,
2N6388G,
2N6530,
2N6532,
2SD1195,
2SD1196,
2SD1276A,
2SD1276A-P,
2SD1276A-Q,
2SD1277A,
2SD1277A-P,
2SD1277A-Q,
2SD1414,
2SD1415,
2SD1415A,
2SD1829,
2SD1830,
2SD1891,
2SD1891-P,
2SD1891-Q,
2SD1892,
2SD1892-P,
2SD1892-Q,
2SD2241,
2SD2495,
2SD2495-O,
2SD2495-P,
2SD2495-Y,
2SD560,
2SD560-KB,
2SD560-LB,
2SD560-MB,
2SD633,
2SD634,
2SD837A,
2SD837A-P,
2SD837A-Q,
2SD837A-R,
BD647,
BD649,
BD651,
BD899,
BD899A,
BD901,
BDT61A,
BDT61B,
BDT61C,
BDT63A,
BDT63B,
BDT63C,
BDT65A,
BDT65B,
BDT65C,
BDW23B,
BDW23C,
BDW41,
BDW41G,
BDW42,
BDW42G,
BDW43,
BDW53B,
BDW53C,
BDW53D,
BDW63B,
BDW63C,
BDW63D,
BDW73B,
BDW73C,
BDW73D,
BDW93B,
BDW93C,
BDW93CF,
BDX33B,
BDX33BG,
BDX33C,
BDX33CG,
BDX33D,
BDX53B,
BDX53BG,
BDX53C,
BDX53CG,
KSB601,
KSB601-O,
KSB601-R,
KSB601-Y,
KSD560,
KSD560-O,
KSD560-R,
KSD560-Y,
MJE803T,
MJF122,
MJF122G,
MJF6388,
MJF6388G,
TIP101,
TIP101G,
TIP102,
TIP102G,
TIP121,
TIP121G,
TIP122,
TIP122G,
TIP131,
TIP131G,
TIP132,
TIP132G,
TIP141T,
TIP142T o
TTD1415B.
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