Transistor bipolar MJE802T

Características del transistor MJE802T

  • Tipo: NPN
  • Tensión Máxima Colector-Emisor: 80 V
  • Tensión Máxima Colector-Base: 80 V
  • Tensión Máxima Emisor-Base: 5 V
  • Corriente DC Máxima del Colector: 4 A
  • Disipación de Potencia Máxima: 50 W
  • Ganancia de corriente continua (hfe): 750
  • Temperatura de almacenamiento y funcionamiento: -55 to +150 °C
  • Encapsulado: TO-220

Diagrama de pines del MJE802T

Aquí hay una imagen que muestra el diagrama de pines de este transistor.

Transistor PNP complementario

El transistor PNP complementario del MJE802T es el MJE702T.

Sustitución y equivalentes para el transistor MJE802T

Puede sustituir el MJE802T por el 2N6044, 2N6044G, 2N6045, 2N6045G, 2N6388, 2N6388G, 2N6530, 2N6532, 2SD1195, 2SD1196, 2SD1276A, 2SD1276A-P, 2SD1276A-Q, 2SD1277A, 2SD1277A-P, 2SD1277A-Q, 2SD1414, 2SD1415, 2SD1415A, 2SD1829, 2SD1830, 2SD1891, 2SD1891-P, 2SD1891-Q, 2SD1892, 2SD1892-P, 2SD1892-Q, 2SD2241, 2SD2495, 2SD2495-O, 2SD2495-P, 2SD2495-Y, 2SD560, 2SD560-KB, 2SD560-LB, 2SD560-MB, 2SD633, 2SD634, 2SD837A, 2SD837A-P, 2SD837A-Q, 2SD837A-R, BD647, BD649, BD651, BD899, BD899A, BD901, BDT61A, BDT61B, BDT61C, BDT63A, BDT63B, BDT63C, BDT65A, BDT65B, BDT65C, BDW23B, BDW23C, BDW41, BDW41G, BDW42, BDW42G, BDW43, BDW53B, BDW53C, BDW53D, BDW63B, BDW63C, BDW63D, BDW73B, BDW73C, BDW73D, BDW93B, BDW93C, BDW93CF, BDX33B, BDX33BG, BDX33C, BDX33CG, BDX33D, BDX53B, BDX53BG, BDX53C, BDX53CG, KSB601, KSB601-O, KSB601-R, KSB601-Y, KSD560, KSD560-O, KSD560-R, KSD560-Y, MJE803T, MJF122, MJF122G, MJF6388, MJF6388G, TIP101, TIP101G, TIP102, TIP102G, TIP121, TIP121G, TIP122, TIP122G, TIP131, TIP131G, TIP132, TIP132G, TIP141T, TIP142T o TTD1415B.
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