Transistor bipolar BDX33B
Características del transistor BDX33B
- Tipo: NPN
- Tensión Máxima Colector-Emisor: 80 V
- Tensión Máxima Colector-Base: 80 V
- Tensión Máxima Emisor-Base: 5 V
- Corriente DC Máxima del Colector: 10 A
- Disipación de Potencia Máxima: 70 W
- Ganancia de corriente continua (hfe): 750
- Temperatura de almacenamiento y funcionamiento: -65 to +150 °C
- Encapsulado: TO-220
Diagrama de pines del BDX33B
Equivalent circuit
Transistor PNP complementario
Sustitución y equivalentes para el transistor BDX33B
Versión sin plomo
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