Transistor bipolar BDW63B
Características del transistor BDW63B
- Tipo: NPN
- Tensión Máxima Colector-Emisor: 80 V
- Tensión Máxima Colector-Base: 80 V
- Tensión Máxima Emisor-Base: 5 V
- Corriente DC Máxima del Colector: 6 A
- Disipación de Potencia Máxima: 60 W
- Ganancia de corriente continua (hfe): 750 a 20000
- Temperatura de almacenamiento y funcionamiento: -65 to +150 °C
- Encapsulado: TO-220
Diagrama de pines del BDW63B
Aquí hay una imagen que muestra el diagrama de pines de este transistor.
Transistor PNP complementario
El transistor
PNP complementario del BDW63B es el
BDW64B.
Sustitución y equivalentes para el transistor BDW63B
Puede sustituir el BDW63B por el
2SC1986,
2SC2316,
2SD823,
BD243B,
BD243C,
BD537,
BD543B,
BD543C,
BD545B,
BD545C,
BD647,
BD649,
BD651,
BD799,
BD801,
BD809,
BD899,
BD899A,
BD901,
BDT83,
BDT83F,
BDT85,
BDT85F,
BDT87,
BDT87F,
BDW23B,
BDW23C,
BDW63C,
BDW63D,
BDW73B,
BDW73C,
BDW73D,
BDX33B,
BDX33BG,
BDX33C,
BDX33CG,
BDX33D,
BDX53B,
BDX53BG,
BDX53C,
BDX53CG,
BDX53D,
BDX53E,
BDX53F,
BDX77,
D44H11,
D44H11FP,
MJE15028,
MJE15028G,
MJE15030,
MJE15030G,
MJF15030,
MJF15030G,
TIP41D,
TIP41E,
TIP41F,
TIP42D,
TIP42E o
TIP42F.
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