Transistor bipolar BDW53D
Características del transistor BDW53D
- Tipo: NPN
- Tensión Máxima Colector-Emisor: 120 V
- Tensión Máxima Colector-Base: 120 V
- Tensión Máxima Emisor-Base: 5 V
- Corriente DC Máxima del Colector: 4 A
- Disipación de Potencia Máxima: 40 W
- Ganancia de corriente continua (hfe): 750 a 20000
- Temperatura de almacenamiento y funcionamiento: -65 to +150 °C
- Encapsulado: TO-220
Diagrama de pines del BDW53D
Transistor PNP complementario
Sustitución y equivalentes para el transistor BDW53D
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