Transistor bipolar BDW53D

Características del transistor BDW53D

  • Tipo: NPN
  • Tensión Máxima Colector-Emisor: 120 V
  • Tensión Máxima Colector-Base: 120 V
  • Tensión Máxima Emisor-Base: 5 V
  • Corriente DC Máxima del Colector: 4 A
  • Disipación de Potencia Máxima: 40 W
  • Ganancia de corriente continua (hfe): 750 a 20000
  • Temperatura de almacenamiento y funcionamiento: -65 to +150 °C
  • Encapsulado: TO-220

Diagrama de pines del BDW53D

Aquí hay una imagen que muestra el diagrama de pines de este transistor.

Transistor PNP complementario

El transistor PNP complementario del BDW53D es el BDW54D.

Sustitución y equivalentes para el transistor BDW53D

Puede sustituir el BDW53D por el 2SD772, 2SD772A, 2SD792, 2SD792A, BD539D, BD651, BD955, BDT61C, BDT87, BDT87F, BDW63D, BDW73D, BDX33D, BDX53D, BDX53E, BDX53F, MJE15028, MJE15028G, MJE15030, MJE15030G, MJF15030, MJF15030G, TIP41D, TIP41E, TIP41F, TIP42D, TIP42E o TIP42F.
Si encuentra un error, envíe un correo electrónico a mail@el-component.com