Transistor bipolar BDW41G

Características del transistor BDW41G

  • Tipo: NPN
  • Tensión Máxima Colector-Emisor: 80 V
  • Tensión Máxima Colector-Base: 80 V
  • Tensión Máxima Emisor-Base: 5 V
  • Corriente DC Máxima del Colector: 15 A
  • Disipación de Potencia Máxima: 85 W
  • Ganancia de corriente continua (hfe): 1000
  • Frecuencia máxima de trabajo: 4 MHz
  • Temperatura de almacenamiento y funcionamiento: -55 to +150 °C
  • Encapsulado: TO-220
  • El BDW41G es la versión sin plomo del transistor BDW41

Diagrama de pines del BDW41G

Aquí hay una imagen que muestra el diagrama de pines de este transistor.

Equivalent circuit

BDW41G equivalent circuit

Transistor PNP complementario

El transistor PNP complementario del BDW41G es el BDW46G.

Sustitución y equivalentes para el transistor BDW41G

Puede sustituir el BDW41G por el BDW41, BDW42, BDW42G, BDW43, MJF6388 o MJF6388G.
Si encuentra un error, envíe un correo electrónico a mail@el-component.com