Transistor bipolar BDW23B
Características del transistor BDW23B
- Tipo: NPN
- Tensión Máxima Colector-Emisor: 80 V
- Tensión Máxima Colector-Base: 80 V
- Tensión Máxima Emisor-Base: 5 V
- Corriente DC Máxima del Colector: 6 A
- Disipación de Potencia Máxima: 50 W
- Ganancia de corriente continua (hfe): 750 a 20000
- Temperatura de almacenamiento y funcionamiento: -65 to +150 °C
- Encapsulado: TO-220
Diagrama de pines del BDW23B
Aquí hay una imagen que muestra el diagrama de pines de este transistor.
Transistor PNP complementario
El transistor
PNP complementario del BDW23B es el
BDW24B.
Sustitución y equivalentes para el transistor BDW23B
Puede sustituir el BDW23B por el
2SC1986,
2SC2316,
2SD823,
BD243B,
BD243C,
BD537,
BD543B,
BD543C,
BD545B,
BD545C,
BD647,
BD649,
BD651,
BD799,
BD801,
BD809,
BD899,
BD899A,
BD901,
BDT83,
BDT83F,
BDT85,
BDT85F,
BDT87,
BDT87F,
BDW23C,
BDW63B,
BDW63C,
BDW63D,
BDW73B,
BDW73C,
BDW73D,
BDX33B,
BDX33BG,
BDX33C,
BDX33CG,
BDX33D,
BDX53B,
BDX53BG,
BDX53C,
BDX53CG,
BDX53D,
BDX53E,
BDX53F,
BDX77,
D44H11,
D44H11FP,
MJE15028,
MJE15028G,
MJE15030,
MJE15030G,
MJF15030,
MJF15030G,
TIP41D,
TIP41E,
TIP41F,
TIP42D,
TIP42E o
TIP42F.
Si encuentra un error, envíe un correo electrónico a mail@el-component.com
