Transistor bipolar BDT83F

Características del transistor BDT83F

  • Tipo: NPN
  • Tensión Máxima Colector-Emisor: 80 V
  • Tensión Máxima Colector-Base: 80 V
  • Tensión Máxima Emisor-Base: 7 V
  • Corriente DC Máxima del Colector: 15 A
  • Disipación de Potencia Máxima: 36 W
  • Ganancia de corriente continua (hfe): 40
  • Frecuencia máxima de trabajo: 10 MHz
  • Temperatura de almacenamiento y funcionamiento: -65 to +150 °C
  • Encapsulado: TO-220F

Diagrama de pines del BDT83F

Aquí hay una imagen que muestra el diagrama de pines de este transistor.

Transistor PNP complementario

El transistor PNP complementario del BDT83F es el BDT84F.

Sustitución y equivalentes para el transistor BDT83F

Puede sustituir el BDT83F por el BD545B, BD545C, BDT83, BDT85, BDT85F, BDT87, BDT87F, BDW41, BDW41G, BDW42, BDW42G, BDW43, MJF6388 o MJF6388G.
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