Transistor bipolar BD899
Características del transistor BD899
- Tipo: NPN
- Tensión Máxima Colector-Emisor: 80 V
- Tensión Máxima Colector-Base: 80 V
- Tensión Máxima Emisor-Base: 5 V
- Corriente DC Máxima del Colector: 8 A
- Disipación de Potencia Máxima: 70 W
- Ganancia de corriente continua (hfe): 750
- Temperatura de almacenamiento y funcionamiento: -65 to +150 °C
- Encapsulado: TO-220
Diagrama de pines del BD899
Aquí hay una imagen que muestra el diagrama de pines de este transistor.
Transistor PNP complementario
El transistor
PNP complementario del BD899 es el
BD900.
Sustitución y equivalentes para el transistor BD899
Puede sustituir el BD899 por el
2N6044,
2N6044G,
2N6045,
2N6045G,
2N6388,
2N6388G,
2N6530,
2N6532,
2SD1196,
2SD1277A,
2SD1277A-P,
2SD1277A-Q,
2SD1830,
BD647,
BD649,
BD651,
BD899A,
BD901,
BDT63A,
BDT63B,
BDT63C,
BDT65A,
BDT65B,
BDT65C,
BDW41,
BDW41G,
BDW42,
BDW42G,
BDW43,
BDW73B,
BDW73C,
BDW73D,
BDW93B,
BDW93C,
BDW93CF,
BDX33B,
BDX33BG,
BDX33C,
BDX33CG,
BDX33D,
BDX53B,
BDX53BG,
BDX53C,
BDX53CG,
MJF6388,
MJF6388G,
TIP101,
TIP101G,
TIP102,
TIP102G,
TIP131,
TIP131G,
TIP132,
TIP132G,
TIP141T o
TIP142T.
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