Transistor bipolar BD809

Características del transistor BD809

  • Tipo: NPN
  • Tensión Máxima Colector-Emisor: 80 V
  • Tensión Máxima Colector-Base: 80 V
  • Tensión Máxima Emisor-Base: 5 V
  • Corriente DC Máxima del Colector: 10 A
  • Disipación de Potencia Máxima: 90 W
  • Ganancia de corriente continua (hfe): 30
  • Frecuencia máxima de trabajo: 2 MHz
  • Temperatura de almacenamiento y funcionamiento: -55 to +150 °C
  • Encapsulado: TO-220

Diagrama de pines del BD809

Aquí hay una imagen que muestra el diagrama de pines de este transistor.

Transistor PNP complementario

El transistor PNP complementario del BD809 es el BD810.

Sustitución y equivalentes para el transistor BD809

Puede sustituir el BD809 por el 2N6388, 2N6388G, 2SC2527, 2SC3346, 2SC3346-O, 2SC3346-Y, 2SC3710, 2SC3710-O, 2SC3710-Y, 2SC3710A, 2SC3710A-O, 2SC3710A-Y, BD545B, BD545C, BDT63A, BDT63B, BDT63C, BDT65A, BDT65B, BDT65C, BDT83, BDT83F, BDT85, BDT85F, BDT87, BDT87F, BDW41, BDW41G, BDW42, BDW42G, BDW43, BDW93B, BDW93C, BDW93CF, BDX33B, BDX33BG, BDX33C, BDX33CG, BDX33D, D44H11, D44H11FP, MJF6388, MJF6388G, TIP141T, TIP142T o TTC3710B.
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