Transistor bipolar 2SD1195
Características del transistor 2SD1195
- Tipo: NPN
- Tensión Máxima Colector-Emisor: 100 V
- Tensión Máxima Colector-Base: 110 V
- Tensión Máxima Emisor-Base: 6 V
- Corriente DC Máxima del Colector: 5 A
- Disipación de Potencia Máxima: 35 W
- Ganancia de corriente continua (hfe): 1500
- Frecuencia máxima de trabajo: 20 MHz
- Temperatura de almacenamiento y funcionamiento: -55 to +150 °C
- Encapsulado: TO-220
Diagrama de pines del 2SD1195
Marcado
Transistor PNP complementario
Sustitución y equivalentes para el transistor 2SD1195
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