Transistor bipolar 2N6668
Características del transistor 2N6668
- Tipo: PNP
- Tensión Máxima Colector-Emisor: -80 V
- Tensión Máxima Colector-Base: -80 V
- Tensión Máxima Emisor-Base: -5 V
- Corriente DC Máxima del Colector: -10 A
- Disipación de Potencia Máxima: 65 W
- Ganancia de corriente continua (hfe): 1000 a 20000
- Temperatura de almacenamiento y funcionamiento: -65 to +150 °C
- Encapsulado: TO-220
Diagrama de pines del 2N6668
Equivalent circuit
Transistor NPN complementario
Sustitución y equivalentes para el transistor 2N6668
Versión sin plomo
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