Bipolartransistor BDW64B
Elektrische Eigenschaften des Transistors BDW64B
- Typ: PNP
- Kollektor-Emitter-Spannung, max: -80 V
- Kollektor-Basis-Spannung, max: -80 V
- Emitter-Basis-Spannung, max: -5 V
- Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: -6 A
- Verlustleistung, max: 60 W
- Gleichstromverstärkung (hfe): 750 bis 20000
- Lager- und Betriebstemperatur: -65 to +150 °C
- Gehäuse: TO-220
Pinbelegung des BDW64B
Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.
Komplementärer NPN-Transistor
Der komplementäre
NPN-Transistor zum BDW64B ist der
BDW63B.
Ersatz und Äquivalent für Transistor BDW64B
Sie können den Transistor BDW64B durch einen
2SA771,
BD244B,
BD244C,
BD538,
BD544B,
BD544C,
BD546B,
BD546C,
BD648,
BD650,
BD652,
BD800,
BD802,
BD810,
BD900,
BD900A,
BD902,
BDT84,
BDT84F,
BDT86,
BDT86F,
BDT88,
BDT88F,
BDW24B,
BDW24C,
BDW64C,
BDW64D,
BDW74B,
BDW74C,
BDW74D,
BDX34B,
BDX34BG,
BDX34C,
BDX34CG,
BDX34D,
BDX54B,
BDX54BG,
BDX54C,
BDX54CG,
BDX54D,
BDX54E,
BDX54F,
BDX78,
D45H11,
D45H11FP,
MJE15029,
MJE15029G,
MJE15031,
MJE15031G,
MJF15031 oder
MJF15031G ersetzen.
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