Bipolartransistor BDW47G

Elektrische Eigenschaften des Transistors BDW47G

  • Typ: PNP
  • Kollektor-Emitter-Spannung, max: -100 V
  • Kollektor-Basis-Spannung, max: -100 V
  • Emitter-Basis-Spannung, max: -5 V
  • Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: -15 A
  • Verlustleistung, max: 85 W
  • Gleichstromverstärkung (hfe): 1000
  • Übergangsfrequenz, min: 4 MHz
  • Lager- und Betriebstemperatur: -55 to +150 °C
  • Gehäuse: TO-220
  • Der BDW47G ist die bleifreie Version des BDW47-Transistors

Pinbelegung des BDW47G

Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.

Equivalent circuit

BDW47G equivalent circuit

Komplementärer NPN-Transistor

Der komplementäre NPN-Transistor zum BDW47G ist der BDW42G.

Ersatz und Äquivalent für Transistor BDW47G

Sie können den Transistor BDW47G durch einen BDW47, BDW48, MJF6668 oder MJF6668G ersetzen.
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