Bipolartransistor BDW41

Elektrische Eigenschaften des Transistors BDW41

  • Typ: NPN
  • Kollektor-Emitter-Spannung, max: 80 V
  • Kollektor-Basis-Spannung, max: 80 V
  • Emitter-Basis-Spannung, max: 5 V
  • Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: 15 A
  • Verlustleistung, max: 85 W
  • Gleichstromverstärkung (hfe): 1000
  • Übergangsfrequenz, min: 4 MHz
  • Lager- und Betriebstemperatur: -55 to +150 °C
  • Gehäuse: TO-220

Pinbelegung des BDW41

Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.

Equivalent circuit

BDW41 equivalent circuit

Komplementärer PNP-Transistor

Der komplementäre PNP-Transistor zum BDW41 ist der BDW46.

Ersatz und Äquivalent für Transistor BDW41

Sie können den Transistor BDW41 durch einen BDW41G, BDW42, BDW42G, BDW43, MJF6388 oder MJF6388G ersetzen.

Bleifreie Version

Der BDW41G-Transistor ist die bleifreie Version des BDW41.
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