Bipolartransistor BDW24B
Elektrische Eigenschaften des Transistors BDW24B
- Typ: PNP
- Kollektor-Emitter-Spannung, max: -80 V
- Kollektor-Basis-Spannung, max: -80 V
- Emitter-Basis-Spannung, max: -5 V
- Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: -6 A
- Verlustleistung, max: 50 W
- Gleichstromverstärkung (hfe): 750 bis 20000
- Lager- und Betriebstemperatur: -65 to +150 °C
- Gehäuse: TO-220
Pinbelegung des BDW24B
Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.
Komplementärer NPN-Transistor
Der komplementäre
NPN-Transistor zum BDW24B ist der
BDW23B.
Ersatz und Äquivalent für Transistor BDW24B
Sie können den Transistor BDW24B durch einen
2SA771,
BD244B,
BD244C,
BD538,
BD544B,
BD544C,
BD546B,
BD546C,
BD648,
BD650,
BD652,
BD800,
BD802,
BD810,
BD900,
BD900A,
BD902,
BDT84,
BDT84F,
BDT86,
BDT86F,
BDT88,
BDT88F,
BDW24C,
BDW64B,
BDW64C,
BDW64D,
BDW74B,
BDW74C,
BDW74D,
BDX34B,
BDX34BG,
BDX34C,
BDX34CG,
BDX34D,
BDX54B,
BDX54BG,
BDX54C,
BDX54CG,
BDX54D,
BDX54E,
BDX54F,
BDX78,
D45H11,
D45H11FP,
MJE15029,
MJE15029G,
MJE15031,
MJE15031G,
MJF15031 oder
MJF15031G ersetzen.
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