Bipolartransistor BDT62A

Elektrische Eigenschaften des Transistors BDT62A

  • Typ: PNP
  • Kollektor-Emitter-Spannung, max: -80 V
  • Kollektor-Basis-Spannung, max: -80 V
  • Emitter-Basis-Spannung, max: -5 V
  • Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: -10 A
  • Verlustleistung, max: 90 W
  • Gleichstromverstärkung (hfe): 1000
  • Lager- und Betriebstemperatur: -65 to +150 °C
  • Gehäuse: TO-220

Pinbelegung des BDT62A

Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.

Komplementärer NPN-Transistor

Der komplementäre NPN-Transistor zum BDT62A ist der BDT63A.

Ersatz und Äquivalent für Transistor BDT62A

Sie können den Transistor BDT62A durch einen 2N6668, 2N6668G, BDT62B, BDT62C, BDT64A, BDT64B, BDT64C, BDW46, BDW46G, BDW47, BDW47G, BDW48, MJF6668, MJF6668G, TIP146T oder TIP147T ersetzen.
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