Bipolartransistor BDT60B
Elektrische Eigenschaften des Transistors BDT60B
- Typ: PNP
- Kollektor-Emitter-Spannung, max: -100 V
- Kollektor-Basis-Spannung, max: -100 V
- Emitter-Basis-Spannung, max: -5 V
- Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: -4 A
- Verlustleistung, max: 50 W
- Gleichstromverstärkung (hfe): 750
- Lager- und Betriebstemperatur: -65 to +150 °C
- Gehäuse: TO-220
Pinbelegung des BDT60B
Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.
Komplementärer NPN-Transistor
Der komplementäre
NPN-Transistor zum BDT60B ist der
BDT61B.
Ersatz und Äquivalent für Transistor BDT60B
Sie können den Transistor BDT60B durch einen
2N6042,
2N6042G,
2SB1020,
2SB1020A,
2SB1227,
2SB1228,
2SB1252,
2SB1252-P,
2SB1252-Q,
2SB1481,
2SB1626,
2SB1626-O,
2SB1626-P,
2SB1626-Y,
2SB601,
2SB601-K,
2SB601-L,
2SB601-M,
2SB673,
2SB885,
2SB886,
BD650,
BD652,
BD902,
BDT60C,
BDT62B,
BDT62C,
BDT64B,
BDT64C,
BDW24C,
BDW47,
BDW47G,
BDW48,
BDW54C,
BDW54D,
BDW64C,
BDW64D,
BDW74C,
BDW74D,
BDW94C,
BDW94CF,
BDX34C,
BDX34CG,
BDX34D,
BDX54C,
BDX54CG,
MJF127,
MJF127G,
MJF6668,
MJF6668G,
TIP107,
TIP107G,
TIP127,
TIP127G,
TIP137,
TIP137G,
TIP147T oder
TTB1020B ersetzen.
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