Bipolartransistor BDT60
Elektrische Eigenschaften des Transistors BDT60
- Typ: PNP
- Kollektor-Emitter-Spannung, max: -60 V
- Kollektor-Basis-Spannung, max: -60 V
- Emitter-Basis-Spannung, max: -5 V
- Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: -4 A
- Verlustleistung, max: 50 W
- Gleichstromverstärkung (hfe): 750
- Lager- und Betriebstemperatur: -65 to +150 °C
- Gehäuse: TO-220
Pinbelegung des BDT60
Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.
Komplementärer NPN-Transistor
Der komplementäre
NPN-Transistor zum BDT60 ist der
BDT61.
Ersatz und Äquivalent für Transistor BDT60
Sie können den Transistor BDT60 durch einen
2N6040,
2N6040G,
2N6041,
2N6041G,
2N6042,
2N6042G,
2N6667,
2N6667G,
2N6668,
2N6668G,
2SA1259,
2SB1020,
2SB1020A,
2SB1024,
2SB1223,
2SB1224,
2SB1225,
2SB1227,
2SB1228,
2SB1251,
2SB1251-P,
2SB1251-Q,
2SB1252,
2SB1252-P,
2SB1252-Q,
2SB1481,
2SB1626,
2SB1626-O,
2SB1626-P,
2SB1626-Y,
2SB601,
2SB601-K,
2SB601-L,
2SB601-M,
2SB673,
2SB674,
2SB675,
2SB751,
2SB751-P,
2SB751-Q,
2SB751-R,
2SB751A,
2SB751A-P,
2SB751A-Q,
2SB751A-R,
2SB880,
2SB881,
2SB882,
2SB885,
2SB886,
2SB950,
2SB950-P,
2SB950-Q,
2SB950A,
2SB950A-P,
2SB950A-Q,
2SB951,
2SB951-P,
2SB951-Q,
2SB951A,
2SB951A-P,
2SB951A-Q,
BD646,
BD648,
BD650,
BD652,
BD898,
BD898A,
BD900,
BD900A,
BD902,
BDT60A,
BDT60B,
BDT60C,
BDT62,
BDT62A,
BDT62B,
BDT62C,
BDT64,
BDT64A,
BDT64B,
BDT64C,
BDW24A,
BDW24B,
BDW24C,
BDW45,
BDW46,
BDW46G,
BDW47,
BDW47G,
BDW48,
BDW54A,
BDW54B,
BDW54C,
BDW54D,
BDW64A,
BDW64B,
BDW64C,
BDW64D,
BDW74A,
BDW74B,
BDW74C,
BDW74D,
BDW94A,
BDW94B,
BDW94C,
BDW94CF,
BDX34A,
BDX34B,
BDX34BG,
BDX34C,
BDX34CG,
BDX34D,
BDX54A,
BDX54B,
BDX54BG,
BDX54C,
BDX54CG,
MJE700T,
MJE701T,
MJE702T,
MJE703T,
MJF127,
MJF127G,
MJF6668,
MJF6668G,
TIP105,
TIP105G,
TIP106,
TIP106G,
TIP107,
TIP107G,
TIP125,
TIP125G,
TIP126,
TIP126G,
TIP127,
TIP127G,
TIP135,
TIP135G,
TIP136,
TIP136G,
TIP137,
TIP137G,
TIP145T,
TIP146T,
TIP147T oder
TTB1020B ersetzen.
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