Bipolartransistor BD652

Elektrische Eigenschaften des Transistors BD652

Typ: PNP
Kollektor-Emitter-Spannung, max: -120 V
Kollektor-Basis-Spannung, max: -140 V
Emitter-Basis-Spannung, max: -5 V
Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: -8 A
Verlustleistung, max: 62.5 W
Gleichstromverstärkung (h_fe): 750
Lager- und Betriebstemperatur: -65 to +150 °C
Gehäuse: TO-220

Pinbelegung des BD652

Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.

Komplementärer NPN-Transistor

Der komplementäre NPN-Transistor zum BD652 ist der BD651.

Ersatz und Äquivalent für Transistor BD652

Sie können den Transistor BD652 durch einen BDT62C, BDT64C, BDW48, BDW74D oder BDX34D ersetzen.

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