Bipolartransistor BD650

• Typ: PNP
• Kollektor-Emitter-Spannung, max: -100 V
• Kollektor-Basis-Spannung, max: -120 V
• Emitter-Basis-Spannung, max: -5 V
• Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: -8 A
• Verlustleistung, max: 62.5 W
• Gleichstromverstärkung (h_fe): 750
• Lager- und Betriebstemperatur: -65 to +150 °C
• Gehäuse: TO-220

Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.Der komplementäre NPN-Transistor zum BD650 ist der BD649.Sie können den Transistor BD650 durch einen 2N6042, 2N6042G, 2SB1228, 2SB886, BD652, BD902, BDT62B, BDT62C, BDT64B, BDT64C, BDW47, BDW47G, BDW48, BDW74C, BDW74D, BDW94C, BDW94CF, BDX34C, BDX34CG, BDX34D, BDX54C, BDX54CG, MJF6668, MJF6668G, TIP107, TIP107G, TIP137, TIP137G oder TIP147T ersetzen.