Bipolartransistor BD647
Elektrische Eigenschaften des Transistors BD647
- Typ: NPN
- Kollektor-Emitter-Spannung, max: 80 V
- Kollektor-Basis-Spannung, max: 100 V
- Emitter-Basis-Spannung, max: 5 V
- Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: 8 A
- Verlustleistung, max: 62.5 W
- Gleichstromverstärkung (hfe): 750
- Lager- und Betriebstemperatur: -65 to +150 °C
- Gehäuse: TO-220
Pinbelegung des BD647
Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.
Komplementärer PNP-Transistor
Der komplementäre
PNP-Transistor zum BD647 ist der
BD648.
Ersatz und Äquivalent für Transistor BD647
Sie können den Transistor BD647 durch einen
2N6044,
2N6044G,
2N6045,
2N6045G,
2N6388,
2N6388G,
2N6530,
2N6532,
2SD1196,
2SD1277A,
2SD1277A-P,
2SD1277A-Q,
2SD1830,
BD649,
BD651,
BD899,
BD899A,
BD901,
BDT63A,
BDT63B,
BDT63C,
BDT65A,
BDT65B,
BDT65C,
BDW41,
BDW41G,
BDW42,
BDW42G,
BDW43,
BDW73B,
BDW73C,
BDW73D,
BDW93B,
BDW93C,
BDW93CF,
BDX33B,
BDX33BG,
BDX33C,
BDX33CG,
BDX33D,
BDX53B,
BDX53BG,
BDX53C,
BDX53CG,
MJF6388,
MJF6388G,
TIP101,
TIP101G,
TIP102,
TIP102G,
TIP131,
TIP131G,
TIP132,
TIP132G,
TIP141T oder
TIP142T ersetzen.
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