Bipolartransistor BD539D
Elektrische Eigenschaften des Transistors BD539D
- Typ: NPN
- Kollektor-Emitter-Spannung, max: 120 V
- Kollektor-Basis-Spannung, max: 120 V
- Emitter-Basis-Spannung, max: 5 V
- Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: 5 A
- Verlustleistung, max: 45 W
- Gleichstromverstärkung (hfe): 40
- Lager- und Betriebstemperatur: -65 to +150 °C
- Gehäuse: TO-220
Pinbelegung des BD539D
SMD-Version des Transistors BD539D
Ersatz und Äquivalent für Transistor BD539D
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