Bipolartransistor 2SD837A

• Typ: NPN
• Kollektor-Emitter-Spannung, max: 80 V
• Kollektor-Basis-Spannung, max: 80 V
• Emitter-Basis-Spannung, max: 5 V
• Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: 4 A
• Verlustleistung, max: 40 W
• Gleichstromverstärkung (h_fe): 1000 bis 10000
• Lager- und Betriebstemperatur: -55 to +150 °C
• Gehäuse: TO-220

Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.Der Transistor 2SD837A kann eine Gleichstromverstärkung von 1000 bis 10000 haben. Die Gleichstromverstärkung des 2SD837A-P liegt im Bereich von 4000 bis 10000, die des 2SD837A-Q im Bereich von 2000 bis 5000, die des 2SD837A-R im Bereich von 1000 bis 2500.Manchmal ist das Präfix "2S" nicht auf dem Gehäuse angegeben - der 2SD837A-Transistor könnte nur mit "D837A" gekennzeichnet sein.Der komplementäre PNP-Transistor zum 2SD837A ist der 2SB751A.Sie können den Transistor 2SD837A durch einen 2N6044, 2N6044G, 2N6045, 2N6045G, 2N6388, 2N6388G, 2N6530, 2N6531, 2N6532, 2N6533, 2SC1986, 2SC2075, 2SC2316, 2SD1274, 2SD1274A, 2SD1274B, 2SD2241, 2SD772, 2SD792, 2SD823, BD243B, BD243C, BD537, BD539B, BD539C, BD539D, BD543B, BD543C, BD545B, BD545C, BD647, BD649, BD651, BD799, BD801, BD809, BD899, BD899A, BD901, BD951, BD953, BD955, BDT61A, BDT61B, BDT61C, BDT63A, BDT63B, BDT63C, BDT65A, BDT65B, BDT65C, BDT83, BDT83F, BDT85, BDT85F, BDT87, BDT87F, BDW23B, BDW23C, BDW41, BDW41G, BDW42, BDW42G, BDW43, BDW53B, BDW53C, BDW53D, BDW63B, BDW63C, BDW63D, BDW73B, BDW73C, BDW73D, BDX33B, BDX33BG, BDX33C, BDX33CG, BDX33D, BDX53B, BDX53BG, BDX53C, BDX53CG, BDX53D, BDX53E, BDX53F, BDX77, D44H11, D44H11FP, MJE15028, MJE15028G, MJE15030, MJE15030G, MJE802T, MJE803T, MJF15030, MJF15030G, TIP101, TIP101G, TIP102, TIP102G, TIP121, TIP121G, TIP122, TIP122G, TIP131, TIP131G, TIP132, TIP132G, TIP141T, TIP142T, TIP41D, TIP41E, TIP41F, TIP42D, TIP42E oder TIP42F ersetzen.