Bipolartransistor 2SD635
Elektrische Eigenschaften des Transistors 2SD635
- Typ: NPN
- Kollektor-Emitter-Spannung, max: 60 V
- Kollektor-Basis-Spannung, max: 60 V
- Emitter-Basis-Spannung, max: 5 V
- Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: 7 A
- Verlustleistung, max: 40 W
- Gleichstromverstärkung (hfe): 2000 bis 15000
- Lager- und Betriebstemperatur: -55 to +150 °C
- Gehäuse: TO-220
Pinbelegung des 2SD635
Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.
Kennzeichnung
Manchmal ist das Präfix "2S" nicht auf dem Gehäuse angegeben - der 2SD635-Transistor könnte nur mit "
D635" gekennzeichnet sein.
Komplementärer PNP-Transistor
Der komplementäre
PNP-Transistor zum 2SD635 ist der
2SB675.
Ersatz und Äquivalent für Transistor 2SD635
Sie können den Transistor 2SD635 durch einen
2N6043,
2N6043G,
2N6044,
2N6044G,
2N6045,
2N6045G,
2N6387,
2N6387G,
2N6388,
2N6388G,
2SD1191,
2SD1192,
2SD1196,
2SD1415,
2SD1415A,
2SD1826,
2SD1827,
2SD1830,
2SD633,
2SD634,
BD203,
BD303,
BD535,
BD537,
BD543A,
BD543B,
BD543C,
BD545A,
BD545B,
BD545C,
BD645,
BD647,
BD649,
BD651,
BD797,
BD799,
BD801,
BD807,
BD809,
BD897,
BD897A,
BD899,
BD899A,
BD901,
BDT63,
BDT63A,
BDT63B,
BDT63C,
BDT65,
BDT65A,
BDT65B,
BDT65C,
BDT81,
BDT81F,
BDT83,
BDT83F,
BDT85,
BDT85F,
BDT87,
BDT87F,
BDW40,
BDW41,
BDW41G,
BDW42,
BDW42G,
BDW43,
BDW73A,
BDW73B,
BDW73C,
BDW73D,
BDX33A,
BDX33B,
BDX33BG,
BDX33C,
BDX33CG,
BDX33D,
BDX53A,
BDX53B,
BDX53BG,
BDX53C,
BDX53CG,
BDX53D,
BDX77,
D44H11,
D44H11FP,
D44H8,
MJE15028,
MJE15028G,
TIP100,
TIP100G,
TIP101,
TIP101G,
TIP102,
TIP102G,
TIP130,
TIP130G,
TIP131,
TIP131G,
TIP132,
TIP132G,
TIP140T,
TIP141T,
TIP142T oder
TTD1415B ersetzen.
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