Bipolartransistor 2SB950A

• Typ: PNP
• Kollektor-Emitter-Spannung, max: -80 V
• Kollektor-Basis-Spannung, max: -80 V
• Emitter-Basis-Spannung, max: -5 V
• Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: -4 A
• Verlustleistung, max: 40 W
• Gleichstromverstärkung (h_fe): 2000 bis 10000
• Übergangsfrequenz, min: 20 MHz
• Lager- und Betriebstemperatur: -55 to +150 °C
• Gehäuse: TO-220F

Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.Der Transistor 2SB950A kann eine Gleichstromverstärkung von 2000 bis 10000 haben. Die Gleichstromverstärkung des 2SB950A-P liegt im Bereich von 4000 bis 10000, die des 2SB950A-Q im Bereich von 2000 bis 5000.Manchmal ist das Präfix "2S" nicht auf dem Gehäuse angegeben - der 2SB950A-Transistor könnte nur mit "B950A" gekennzeichnet sein.Der komplementäre NPN-Transistor zum 2SB950A ist der 2SD1276A.Sie können den Transistor 2SB950A durch einen 2N6041, 2N6041G, 2N6042, 2N6042G, 2N6668, 2N6668G, 2SA1488A, 2SA771, 2SB1020, 2SB1020A, 2SB1024, 2SB1227, 2SB1228, 2SB1481, 2SB601, 2SB673, 2SB674, 2SB751A, 2SB885, 2SB886, 2SB951A, BD244B, BD244C, BD538, BD540B, BD540C, BD544B, BD544C, BD546B, BD546C, BD648, BD650, BD652, BD800, BD802, BD810, BD900, BD900A, BD902, BD952, BD954, BD956, BDT60A, BDT60B, BDT60C, BDT62A, BDT62B, BDT62C, BDT64A, BDT64B, BDT64C, BDT84, BDT84F, BDT86, BDT86F, BDT88, BDT88F, BDW24B, BDW24C, BDW46, BDW46G, BDW47, BDW47G, BDW48, BDW54B, BDW54C, BDW54D, BDW64B, BDW64C, BDW64D, BDW74B, BDW74C, BDW74D, BDX34B, BDX34BG, BDX34C, BDX34CG, BDX34D, BDX54B, BDX54BG, BDX54C, BDX54CG, BDX54D, BDX54E, BDX54F, BDX78, D44C10, D44C11, D44C12, D45C10, D45C11, D45C12, D45H11, D45H11FP, MJE15029, MJE15029G, MJE15031, MJE15031G, MJE702T, MJE703T, MJF127, MJF127G, MJF15031, MJF15031G, TIP106, TIP106G, TIP107, TIP107G, TIP126, TIP126G, TIP127, TIP127G, TIP136, TIP136G, TIP137, TIP137G, TIP146T, TIP147T oder TTB1020B ersetzen.