Bipolartransistor 2SB673
Elektrische Eigenschaften des Transistors 2SB673
- Typ: PNP
- Kollektor-Emitter-Spannung, max: -100 V
- Kollektor-Basis-Spannung, max: -100 V
- Emitter-Basis-Spannung, max: -5 V
- Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: -7 A
- Verlustleistung, max: 40 W
- Gleichstromverstärkung (hfe): 2000 bis 15000
- Lager- und Betriebstemperatur: -55 to +150 °C
- Gehäuse: TO-220
Pinbelegung des 2SB673
Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.
Kennzeichnung
Manchmal ist das Präfix "2S" nicht auf dem Gehäuse angegeben - der 2SB673-Transistor könnte nur mit "
B673" gekennzeichnet sein.
Komplementärer NPN-Transistor
Der komplementäre
NPN-Transistor zum 2SB673 ist der
2SD633.
Ersatz und Äquivalent für Transistor 2SB673
Sie können den Transistor 2SB673 durch einen
2N6042,
2N6042G,
2SB1020,
2SB1020A,
2SB1228,
2SB886,
BD544C,
BD546C,
BD650,
BD652,
BD802,
BD902,
BDT62B,
BDT62C,
BDT64B,
BDT64C,
BDT86,
BDT86F,
BDT88,
BDT88F,
BDW47,
BDW47G,
BDW48,
BDW74C,
BDW74D,
BDX34C,
BDX34CG,
BDX34D,
BDX54C,
BDX54CG,
BDX54D,
BDX54E,
BDX54F,
MJE15029,
MJE15029G,
MJE15031,
MJE15031G,
MJF15031,
MJF15031G,
TIP107,
TIP107G,
TIP137,
TIP137G,
TIP147T oder
TTB1020B ersetzen.
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