Bipolartransistor 2SB1225

Elektrische Eigenschaften des Transistors 2SB1225

  • Typ: PNP
  • Kollektor-Emitter-Spannung, max: -60 V
  • Kollektor-Basis-Spannung, max: -70 V
  • Emitter-Basis-Spannung, max: -6 V
  • Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: -10 A
  • Verlustleistung, max: 30 W
  • Gleichstromverstärkung (hfe): 2000
  • Übergangsfrequenz, min: 20 MHz
  • Lager- und Betriebstemperatur: -55 to +150 °C
  • Gehäuse: TO-220F

Pinbelegung des 2SB1225

Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.

Kennzeichnung

Manchmal ist das Präfix "2S" nicht auf dem Gehäuse angegeben - der 2SB1225-Transistor könnte nur mit "B1225" gekennzeichnet sein.

Komplementärer NPN-Transistor

Der komplementäre NPN-Transistor zum 2SB1225 ist der 2SD1827.

Ersatz und Äquivalent für Transistor 2SB1225

Sie können den Transistor 2SB1225 durch einen 2SB882, MJF6668 oder MJF6668G ersetzen.
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