Bipolartransistor 2N6530
Elektrische Eigenschaften des Transistors 2N6530
- Typ: NPN
- Kollektor-Emitter-Spannung, max: 80 V
- Kollektor-Basis-Spannung, max: 80 V
- Emitter-Basis-Spannung, max: 5 V
- Kontinuierlicher Kollektor-Strom, max: 8 A
- Verlustleistung, max: 65 W
- Gleichstromverstärkung (hfe): 1000 bis 10000
- Lager- und Betriebstemperatur: -65 to +150 °C
- Gehäuse: TO-220
Pinbelegung des 2N6530
Hier ist ein Bild, das den Anschlussplan dieses Transistors zeigt.
Ersatz und Äquivalent für Transistor 2N6530
Sie können den Transistor 2N6530 durch einen
2N6044,
2N6044G,
2N6045,
2N6045G,
2N6388,
2N6388G,
2N6531,
2N6532,
2N6533,
BD537,
BD543B,
BD543C,
BD545B,
BD545C,
BD647,
BD649,
BD651,
BD799,
BD801,
BD809,
BD899,
BD899A,
BD901,
BDT63A,
BDT63B,
BDT63C,
BDT65A,
BDT65B,
BDT65C,
BDT83,
BDT83F,
BDT85,
BDT85F,
BDT87,
BDT87F,
BDW41,
BDW41G,
BDW42,
BDW42G,
BDW43,
BDW73B,
BDW73C,
BDW73D,
BDX33B,
BDX33BG,
BDX33C,
BDX33CG,
BDX33D,
BDX53B,
BDX53BG,
BDX53C,
BDX53CG,
BDX53D,
BDX53E,
BDX53F,
BDX77,
D44H11,
D44H11FP,
MJE15028,
MJE15028G,
MJE15030,
MJE15030G,
MJF15030,
MJF15030G,
TIP101,
TIP101G,
TIP102,
TIP102G,
TIP131,
TIP131G,
TIP132,
TIP132G,
TIP141T oder
TIP142T ersetzen.
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